Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
https://repositorio.ufba.br/handle/ri/13168
metadata.dc.type: | Artigo de Periódico |
Título : | Spin susceptibility and effective mass in shallow doubly doped semiconductor systems |
Otros títulos : | Physical Review B |
Autor : | Silva, A. Ferreira da |
metadata.dc.creator: | Silva, A. Ferreira da |
Resumen : | In light of a recent investigation of the conductivity and metal-insulator transition in the shallow double donor Si:P,As, the spin susceptibility g, and effective mass I of the systems Si:P,As and Si:P,Sb have been calculated. The electronic systems are described by a Gutzwiller scheme to finite temperature. The results for the doubly doped systems predict an enhancement of m and g, similar to that of the single-donor system Si:P in the vicinity of the transition. |
Editorial : | Physical Review B |
URI : | http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/13168 |
Fecha de publicación : | 1991 |
Aparece en las colecciones: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) |
Ficheros en este ítem:
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
---|---|---|---|---|
111111111111s.pdf | 126,82 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.