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https://repositorio.ufba.br/handle/ri/13168
Registro completo de metadados
Campo DC | Valor | Idioma |
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dc.contributor.author | Silva, A. Ferreira da | - |
dc.creator | Silva, A. Ferreira da | - |
dc.date.accessioned | 2013-10-09T19:43:57Z | - |
dc.date.available | 2013-10-09T19:43:57Z | - |
dc.date.issued | 1991 | - |
dc.identifier.issn | 1098-0121 | - |
dc.identifier.uri | http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/13168 | - |
dc.description | p. 6551-6553 | pt_BR |
dc.description.abstract | In light of a recent investigation of the conductivity and metal-insulator transition in the shallow double donor Si:P,As, the spin susceptibility g, and effective mass I of the systems Si:P,As and Si:P,Sb have been calculated. The electronic systems are described by a Gutzwiller scheme to finite temperature. The results for the doubly doped systems predict an enhancement of m and g, similar to that of the single-donor system Si:P in the vicinity of the transition. | pt_BR |
dc.language.iso | en | pt_BR |
dc.publisher | Physical Review B | pt_BR |
dc.source | http://prb-aps-org.ez10.periodicos.capes.gov.br/pdf/PRB/v43/i8/p6551_1 | pt_BR |
dc.title | Spin susceptibility and effective mass in shallow doubly doped semiconductor systems | pt_BR |
dc.title.alternative | Physical Review B | pt_BR |
dc.type | Artigo de Periódico | pt_BR |
dc.description.localpub | Salvador | pt_BR |
dc.identifier.number | v. 43, n. 8 | pt_BR |
Aparece nas coleções: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) |
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Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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