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Tipo: Artigo de Periódico
Título: Influence of valley-splitting in the specific heat of Si:P
Título(s) alternativo(s): Solid State Communications
Autor(es): Perondi, L.F.
Fabbri, M.
Silva, A.Ferreira da
Autor(es): Perondi, L.F.
Fabbri, M.
Silva, A.Ferreira da
Abstract: We report a calculation of the electronic specific heat near 0 K for the Si:P system, taking into account the characteristic valley-splitting of the impurity levels near the conduction band minima. This effect is shown to describe properly the deviations from the free-electron model around the metal-to-nonmetal transition. This is a strong argument towards the picture of an Anderson-type (disorder-dominated) transition in indirect gap semiconductors. Our results account very well for the experimental findings.
Editora / Evento / Instituição: Solid State Communications
URI: http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/7870
Data do documento: 1990
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