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Navegando por Autor Sernelius, Bo E.

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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
Abr-2002Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN:SiAraújo, Carlos Moysés; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; As, D. J.Artigo de Periódico
2000Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,BiAraújo, Carlos Moysés; Almeida, J. Souza de; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Sernelius, Bo E.; Souza, Joel Pereira de; Boudinov, Henri IvanovArtigo de Periódico
2001Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nonmetal transition in cubic GaN, InN and AlN systemsFernandez, J. R. L.; Araújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Pepe, Iuri MunizArtigo de Periódico
Set-2002Optical and reduced band gap in n- and p-type GaN and AlNPersson, C.; Sernelius, Bo E.; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico
2006Electrical resistivity and metal-nonmetal transition in n-type doped 4H-SiC.Silva, Antonio Ferreira da; Pernot, Julien; Contreras, Sylvie; Sernelius, Bo E.; Persson, Clas; Camassel, JeanArtigo de Periódico