| Data do documento | Título | Autor(es) | Tipo |
| Abr-2002 | Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN:Si | Araújo, Carlos Moysés; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; As, D. J. | Artigo de Periódico |
| 2000 | Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,Bi | Araújo, Carlos Moysés; Almeida, J. Souza de; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Sernelius, Bo E.; Souza, Joel Pereira de; Boudinov, Henri Ivanov | Artigo de Periódico |
| 2001 | Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nonmetal transition in cubic GaN, InN and AlN systems | Fernandez, J. R. L.; Araújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Pepe, Iuri Muniz | Artigo de Periódico |
| Set-2002 | Optical and reduced band gap in n- and p-type GaN and AlN | Persson, C.; Sernelius, Bo E.; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, Rajeev; Johansson, B. | Artigo de Periódico |
| 2001 | Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaN | Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B | Artigo de Periódico |
| 2006 | Electrical resistivity and metal-nonmetal transition in n-type doped 4H-SiC. | Silva, Antonio Ferreira da; Pernot, Julien; Contreras, Sylvie; Sernelius, Bo E.; Persson, Clas; Camassel, Jean | Artigo de Periódico |
