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Abr-2002Electrical field effects in n-type MOSFET and metal–nonmetal transitionAlmeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2001Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nonmetal transition in cubic GaN, InN and AlN systemsFernandez, J. R. L.; Araújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Pepe, Iuri MunizArtigo de Periódico
Dez-2002Electronic and optical properties of lead iodideAhuja, Rajeev; Arwin, Hans; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Veje, E.; Pepe, Iuri Muniz; Johansson, B.Artigo de Periódico
2002Electric field effects in a two-dimensional Disordered Hubbard-Mott modelAlmeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2004Optical Properties of Oxide Compounds PbO, SnO2 and TiO2Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos MoysésArtigo de Periódico
2000Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,BiAraújo, Carlos Moysés; Almeida, J. Souza de; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Sernelius, Bo E.; Souza, Joel Pereira de; Boudinov, Henri IvanovArtigo de Periódico
Abr-2002Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN:SiAraújo, Carlos Moysés; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; As, D. J.Artigo de Periódico

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