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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
1988Enhanced spin susceptibility in phosphorus-doped siliconSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
1993Impurity conductivities in compensated semiconductor systemsSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
1-Jun-1998Thermal diffusivity of lead iodideSilva, T. S.; Alves, A. Santos; Pepe, Iuri Muniz; Tsuzuki, H.; Nakamura, Ossamu; D'Aguiar Neto, Manoel Marcos Freire; Silva, A. Ferreira da; Veissid, N.; An, C. YingArtigo de Periódico
2005Influence of rhodamine 6G doping on the optical properties of TiO2 sol-gel filmsPepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Tomás, S. A.; Stolik, S.; Palomino, R.; Lozada, R.; Persson, C.Artigo de Periódico
2009Variational rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; La Rocca, G. C.Artigo de Periódico
2000Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,BiAraújo, Carlos Moysés; Almeida, J. Souza de; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Sernelius, Bo E.; Souza, Joel Pereira de; Boudinov, Henri IvanovArtigo de Periódico
1990Influence of donor-pairs on density of states of degenerate N-type semiconductorsMota, F. de Brito; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
1998Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBESilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Berggren, K. F.; Pepe, Iuri Muniz; Alves, A. Santos; Oliveira, A. G. deArtigo de Periódico
2008Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloysDantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2004Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAsSilva, A. Ferreira da; Sernelius, I.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Pepe, Bo E.Artigo de Periódico