Use este identificador para citar ou linkar para este item:
https://repositorio.ufba.br/handle/ri/7871| Tipo: | Artigo de Periódico |
| Título: | Influence of donor-pairs on density of states of degenerate N-type semiconductors |
| Título(s) alternativo(s): | Solid State Communications |
| Autor(es): | Mota, F. de Brito Silva, A. Ferreira da |
| Autor(es): | Mota, F. de Brito Silva, A. Ferreira da |
| Abstract: | The impurity density of states due to interacting donor-pairs are calculated for a random distribution of phosphorus in the many-valley silicon semiconductor, at densities around the metal-nonmetal transition. The results indicate that the donor-pairs play a relevant role in the optical absorption measurements of degenerate silicon. |
| Editora / Evento / Instituição: | Solid State Communications |
| URI: | http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/7871 |
| Data do documento: | 1990 |
| Aparece nas coleções: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) |
Arquivos associados a este item:
Não existem arquivos associados a este item.
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.