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https://repositorio.ufba.br/handle/ri/7871Registro completo de metadados
| Campo DC | Valor | Idioma |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Mota, F. de Brito | - |
| dc.contributor.author | Silva, A. Ferreira da | - |
| dc.creator | Mota, F. de Brito | - |
| dc.creator | Silva, A. Ferreira da | - |
| dc.date.accessioned | 2013-01-15T18:40:49Z | - |
| dc.date.available | 2013-01-15T18:40:49Z | - |
| dc.date.issued | 1990 | - |
| dc.identifier.issn | 0038-1098 | - |
| dc.identifier.uri | http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/7871 | - |
| dc.description | Texto completo. Acesso restrito. p. 1 - 3 | pt_BR |
| dc.description.abstract | The impurity density of states due to interacting donor-pairs are calculated for a random distribution of phosphorus in the many-valley silicon semiconductor, at densities around the metal-nonmetal transition. The results indicate that the donor-pairs play a relevant role in the optical absorption measurements of degenerate silicon. | pt_BR |
| dc.language.iso | en | pt_BR |
| dc.publisher | Solid State Communications | pt_BR |
| dc.source | http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(90)90742-T | pt_BR |
| dc.title | Influence of donor-pairs on density of states of degenerate N-type semiconductors | pt_BR |
| dc.title.alternative | Solid State Communications | pt_BR |
| dc.type | Artigo de Periódico | pt_BR |
| dc.description.localpub | Salvador | pt_BR |
| dc.identifier.number | v. 73, n. 4 | pt_BR |
| Aparece nas coleções: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) | |
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