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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
Dez-2002Electronic and optical properties of lead iodideAhuja, Rajeev; Arwin, Hans; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Veje, E.; Pepe, Iuri Muniz; Johansson, B.Artigo de Periódico
Jun-2002Resonant tunneling of polarized electrons through nonmagnetic III-V semiconductor multiple barriersAraújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada eArtigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001Effective electronic masses in wurtzite and zinc-blende GaN and AlNPersson, C.; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2007Structural complexity of disordered surfaces: analyzing the porous silicon SFM patternsRosa, R. R.; Baroni, M. P. M. A.; Zaniboni, G. T.; Silva, A. Ferreira da; Roman, L. S.; Pontes, J.; Bolzan, M. J. A.Artigo de Periódico
2007Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N (III=B, Al, Ga, and In)Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2002Optical properties of donor-triad cluster in GaAs and GaNAlmeida, J. Souza de; Silva, A. J. da; Norman, P.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2001First-principle calculations of the dielectric function of zinc-blende and wurtzite InNAhuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico
Abr-2002Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN:SiAraújo, Carlos Moysés; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; As, D. J.Artigo de Periódico