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Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorCosta, E. A. Guimarães-
dc.contributor.authorMota, F. de Brito-
dc.contributor.authorSilva, A. Ferreira da-
dc.creatorCosta, E. A. Guimarães-
dc.creatorMota, F. de Brito-
dc.creatorSilva, A. Ferreira da-
dc.date.accessioned2013-02-27T16:20:42Z-
dc.date.issued1993-
dc.identifier.issn0749-6036-
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/8705-
dc.descriptionTexto completo: acesso restrito. p.285pt_BR
dc.description.abstractA polarization catastrophe is predicted for the refractive index of an inversion layer in a Si/Si O2 Metal - Oxide - Semiconductor Field-Effect Transition (MOSFET). The results detect a metal non-metal transition at a certain impurity critical concentration.pt_BR
dc.language.isoenpt_BR
dc.sourcehttp://dx.doi.org/10.1006/spmi.1993.1057pt_BR
dc.titleThe refractive index enhancement at Si/Si O2 interfacespt_BR
dc.title.alternativeSuperlattices and Microstructurespt_BR
dc.typeArtigo de Periódicopt_BR
dc.identifier.numberv. 13, n. 3pt_BR
dc.embargo.liftdate10000-01-01-
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