Skip navigation
Universidade Federal da Bahia |
Repositório Institucional da UFBA
Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufba.br/handle/ri/8148
Tipo: Artigo de Periódico
Título: An MOS transistor model for analog circuit design
Título(s) alternativo(s): IEEE Journal of Solid-State Circuits
Autor(es): Cunha, Ana Isabela Araújo
Schneider, Marcio Cherem
Galup Montoro, Carlos
Autor(es): Cunha, Ana Isabela Araújo
Schneider, Marcio Cherem
Galup Montoro, Carlos
Abstract: This paper presents a physically based model for the metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor suitable for analysis and design of analog integrated circuits. Static and dynamic characteristics of the MOS field-effect transistor are accurately described by single-piece functions of two saturation currents in all regions of operation. Simple expressions for the transconductance-to-current ratio, the drain-to-source saturation voltage, and the cutoff frequency in terms of the inversion level are given. The design of a common-source amplifier illustrates the application of the proposed model.
Palavras-chave: Circuit modelin
integrated circuit design
MOS analog integrated circuits
MOS devices
URI: http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/8148
Data do documento: 1998
Aparece nas coleções:Artigo Publicado em Periódico (PPGEE)

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
Cunha.pdf
  Restricted Access
282,68 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir Solicitar uma cópia
Mostrar registro completo do item Visualizar estatísticas


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.