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Universidade Federal da Bahia |
Repositório Institucional da UFBA
Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufba.br/handle/ri/14539
Tipo: Artigo de Periódico
Título: Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaN
Título(s) alternativo(s): Journal of Physics: Condensed Matter
Autor(es): Silva, A. Ferreira da
Araújo, Carlos Moysés
Sernelius, Bo E.
Persson, C.
Ahuja, Rajeev
Johansson, B
Autor(es): Silva, A. Ferreira da
Araújo, Carlos Moysés
Sernelius, Bo E.
Persson, C.
Ahuja, Rajeev
Johansson, B
Abstract: The band gap shift (BGS) of Si-doped wurtzite GaN for impurity concentrations spanning the insulating to the metallic regimes has been investigated at low temperature. The critical impurity concentration for the metal-non-metal transition is estimated from the generalized Drude approach for the resistivity to be about 1.0×1018 cm-3. The calculations for the BGS were carried out within a framework of the random phase approximation, taking into account the electron-electron, electron-optical phonon, and electron-ion interactions. In the wake of very recent photoluminescence measurements, we have shown and discussed the possible transitions involved in the experimental results.
Palavras-chave: band gap shift
concentrations spanning
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
URI: http://repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/14539
Data do documento: 2001
Aparece nas coleções:Artigo Publicado em Periódico (FIS)

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