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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
1994Electronic states on a fractal: Inverse-iteration methodKappertz, P.; Andrade, Roberto Fernandes Silva; Schellnhuber, H. J.Artigo de Periódico
1993Impurity conductivities in compensated semiconductor systemsSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2006Electrical resistivity and metal-nonmetal transition in n-type doped 4H-SiC.Silva, Antonio Ferreira da; Pernot, Julien; Contreras, Sylvie; Sernelius, Bo E.; Persson, Clas; Camassel, JeanArtigo de Periódico
1988Enhanced spin susceptibility in phosphorus-doped siliconSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
1995Damped plasma waves in photoexcited plasma in semiconductorsVasconcellos, Aurea R.; Luzzi, Roberto; Esperidião, Antônio Sérgio CavalcanteArtigo de Periódico
1982Low-temperature phase transition in DyVasconcelos, J.Artigo de Periódico
1980Surface Raman scattering of the light in antiferromagnetic chromiumCuden, C. B.; Mota, R.Artigo de Periódico
1982Theoretical explanation of the Er C33-versus-temperature curve in the ordered phase near TNVasconcelos, J.Artigo de Periódico
1991Electronic states on a fractal: Exact Green's-function renormalization approachAndrade, Roberto Fernandes Silva; Schellnhuber, H. J.Artigo de Periódico
2000Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,BiAraújo, Carlos Moysés; Almeida, J. Souza de; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Sernelius, Bo E.; Souza, Joel Pereira de; Boudinov, Henri IvanovArtigo de Periódico

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