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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2001First-principle calculations of the dielectric function of zinc-blende and wurtzite InNAhuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.Artigo de Periódico
2012Visible-light-driven photocatalytic hydrogen production over dye-sensitized β-BiTaO4Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Maia, D. L. S.; Silva, L. A.Artigo de Periódico
2013Lithium transport investigation in LixFeSiO4: a promising cathode materialAraujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2008Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloysDantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2013First-principles investigation of Li ion diffusion in Li2FeSiO4Araujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2013Half-filled orbital and unconventional geometry of a common dopant in Si(001)Iwaya, K.; Bowler, D. R.; Brázdová, V.; Silva, A. Ferreira da; Renner, Ch.; Wu, W.; Fisher, A. J.; Stoneham, A. M.; Aeppli, G.Artigo de Periódico
2011Energy-level and optical properties of nitrogen doped TiO2: An experimental and theoretical studyMeira, M. V. Castro; Almeida, J. Souza de; Borrero, P. P. González; Bernabé, H. S.; Astrath, N. G. C.; Bento, Antonio Carlos; Baesso, Mauro Luciano; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2002Optical properties of donor-triad cluster in GaAs and GaNAlmeida, J. Souza de; Silva, A. J. da; Norman, P.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico

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