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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2013Half-filled orbital and unconventional geometry of a common dopant in Si(001)Iwaya, K.; Bowler, D. R.; Brázdová, V.; Silva, A. Ferreira da; Renner, Ch.; Wu, W.; Fisher, A. J.; Stoneham, A. M.; Aeppli, G.Artigo de Periódico
2011Energy-level and optical properties of nitrogen doped TiO2: An experimental and theoretical studyMeira, M. V. Castro; Almeida, J. Souza de; Borrero, P. P. González; Bernabé, H. S.; Astrath, N. G. C.; Bento, Antonio Carlos; Baesso, Mauro Luciano; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2002Optical properties of donor-triad cluster in GaAs and GaNAlmeida, J. Souza de; Silva, A. J. da; Norman, P.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
2012Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factorSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2002Electric field effects in a two-dimensional Disordered Hubbard-Mott modelAlmeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2013Electronic properties of III-nitride semiconductors: A first-principles investigation using the Tran-Blaha modified Becke-Johnson potenAraujo, Rafael B.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2011Variational analysis of the Rashba splitting in III–V semiconductor inversion layersSilva, A. Ferreira da; Sandoval, M. A. Toloza; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico