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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2002Optical properties of donor-triad cluster in GaAs and GaNAlmeida, J. Souza de; Silva, A. J. da; Norman, P.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
2007Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N (III=B, Al, Ga, and In)Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2005Influence of rhodamine 6G doping on the optical properties of TiO2 sol-gel filmsPepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Tomás, S. A.; Stolik, S.; Palomino, R.; Lozada, R.; Persson, C.Artigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico
2001First-principle calculations of the dielectric function of zinc-blende and wurtzite InNAhuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.Artigo de Periódico
2004Optical Properties of Oxide Compounds PbO, SnO2 and TiO2Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos MoysésArtigo de Periódico
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2008Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloysDantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico

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