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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
Jun-2004Spin-dependent conductance in nonmagnetic InGaAs asymmetric double barrier devicesAraújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, E. A. de Andrada eArtigo de Periódico
2013Spin-orbit interaction strength and anisotropy in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2012Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factorSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2013Electronic properties of III-nitride semiconductors: A first-principles investigation using the Tran-Blaha modified Becke-Johnson potenAraujo, Rafael B.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2005Influence of rhodamine 6G doping on the optical properties of TiO2 sol-gel filmsPepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Tomás, S. A.; Stolik, S.; Palomino, R.; Lozada, R.; Persson, C.Artigo de Periódico
1-Set-2002Critical concentration for the doping-induced metal–nonmetal transition in cubic and hexagonal GaNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.Artigo de Periódico
1996Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type InSbSilva, A. Ferreira da; Dantas, Nilton Souza; Mota, F. de Brito; Canuto, Sylvio; Fazzio, A.Artigo de Periódico
2009Variational rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; La Rocca, G. C.Artigo de Periódico
2000Characterization of asymmetric fragmentation patterns in SFM images of porous siliconSilva, A. Ferreira da; Rosa, R.R.; Roman, L.S.; Veje, E.; Pepe, Iuri MunizArtigo de Periódico

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