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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
2013Spin-orbit interaction strength and anisotropy in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2012Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factorSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2013Electronic properties of III-nitride semiconductors: A first-principles investigation using the Tran-Blaha modified Becke-Johnson potenAraujo, Rafael B.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2005Influence of rhodamine 6G doping on the optical properties of TiO2 sol-gel filmsPepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Tomás, S. A.; Stolik, S.; Palomino, R.; Lozada, R.; Persson, C.Artigo de Periódico
2011Variational analysis of the Rashba splitting in III–V semiconductor inversion layersSilva, A. Ferreira da; Sandoval, M. A. Toloza; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2002Electric field effects in a two-dimensional Disordered Hubbard-Mott modelAlmeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2004Optical Properties of Oxide Compounds PbO, SnO2 and TiO2Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos MoysésArtigo de Periódico
2007Structural complexity of disordered surfaces: analyzing the porous silicon SFM patternsRosa, R. R.; Baroni, M. P. M. A.; Zaniboni, G. T.; Silva, A. Ferreira da; Roman, L. S.; Pontes, J.; Bolzan, M. J. A.Artigo de Periódico
2007Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N (III=B, Al, Ga, and In)Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico

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