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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2006X-ray absorption and emission spectroscopy of ZnO nanoparticle and highly oriented ZnO microrod arraysSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Dong, C. L.; Vayssieres, L.; Augustsson, A.; Schmitt, T.; Mattesini, M.; Ahuja, Rajeev; Nordgren, J.; Chang, C. L.; Guo, J. H.Artigo de Periódico
1998Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBESilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Berggren, K. F.; Pepe, Iuri Muniz; Alves, A. Santos; Oliveira, A. G. deArtigo de Periódico
2003Spectroscopy studies of 4H-SiCOliveira, A. C. de; Freitas Junior, J. A.; Moore, W. J.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Almeida, J. Souza de; Osório-Guillén, J. M.; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Järrendahl, K.; Lindquist, O. P. A.; Edwards, N. V.; Wahab, Q.Artigo de Periódico
2008Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloysDantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2004Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAsSilva, A. Ferreira da; Sernelius, I.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Pepe, Bo E.Artigo de Periódico
2003Photoacoustic and transmission studies of SiC polytypesOliveira, A. C. de; Freitas Junior, J. A.; Moore, W. J.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Almeida, J. Souza de; Braga, G. C. B.; Osório-Guillen, J. M.; Persson, C.; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico

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