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Data do documento	Título	Autor(es)	Tipo
Jun-2004	Spin-dependent conductance in nonmagnetic InGaAs asymmetric double barrier devices	Araújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, E. A. de Andrada e	Artigo de Periódico
2001	First-principle calculations of the dielectric function of zinc-blende and wurtzite InN	Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.	Artigo de Periódico
2002	Optical properties of donor-triad cluster in GaAs and GaN	Almeida, J. Souza de; Silva, A. J. da; Norman, P.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira da	Artigo de Periódico
Dez-2002	Electronic and optical properties of lead iodide	Ahuja, Rajeev; Arwin, Hans; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Veje, E.; Pepe, Iuri Muniz; Johansson, B.	Artigo de Periódico
2001	Effective electronic masses in wurtzite and zinc-blende GaN and AlN	Persson, C.; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.	Artigo de Periódico
2004	Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAs	Silva, A. Ferreira da; Sernelius, I.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Pepe, Bo E.	Artigo de Periódico
2013	Lithium transport investigation in LixFeSiO4: a promising cathode material	Araujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev	Artigo de Periódico
2001	Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlN	Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.	Artigo de Periódico
2013	First-principles investigation of Li ion diffusion in Li2FeSiO4	Araujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev	Artigo de Periódico
2008	Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloys	Dantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira da	Artigo de Periódico