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Universidade Federal da Bahia |
Repositório Institucional da UFBA
Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufba.br/handle/ri/8496
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorSilva, A. Ferreira da-
dc.contributor.authorDantas, Nilton Souza-
dc.contributor.authorMota, F. de Brito-
dc.contributor.authorCanuto, Sylvio-
dc.contributor.authorFazzio, A.-
dc.creatorSilva, A. Ferreira da-
dc.creatorDantas, Nilton Souza-
dc.creatorMota, F. de Brito-
dc.creatorCanuto, Sylvio-
dc.creatorFazzio, A.-
dc.date.accessioned2013-02-18T16:22:53Z-
dc.date.issued1996-
dc.identifier.issn0038-1098-
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/8496-
dc.descriptionTexto completo: acesso restrito. p.295–297pt_BR
dc.description.abstractWe investigate impurity pair and triad formations in the narrow band-gap semiconductor n-doped InSb. It is found that in the region of the band-gap energy, Eg = 0.23 eV, at 0 K, the effects of such clusters play a relevant role in the optical properties around and below the ionization energy of an isolated impurity (i.e., Ei = 0.64 meV). The transition for the uncompensated system is obtained as the concentration of impurities exceeds Nc = 4.7 × 1013 cm−3.pt_BR
dc.language.isoenpt_BR
dc.sourcehttp://dx.doi.org.ez10.periodicos.capes.gov.br/10.1016/0038-1098(96)80022-6pt_BR
dc.subjectA. disordered systemspt_BR
dc.subjectA. semiconductorspt_BR
dc.subjectC. impurities in semiconductorspt_BR
dc.subjectD. optical propertiespt_BR
dc.titleImpurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type InSbpt_BR
dc.title.alternativeSolid State Communicationspt_BR
dc.typeArtigo de Periódicopt_BR
dc.identifier.numberv. 99, n. 4pt_BR
dc.embargo.liftdate10000-01-01-
Aparece nas coleções:Artigo Publicado em Periódico (FIS)

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