Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufba.br/handle/ri/6704
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorAraújo, Carlos Moysés-
dc.contributor.authorSilva, A. Ferreira da-
dc.contributor.authorSilva, E. A. de Andrada e-
dc.creatorAraújo, Carlos Moysés-
dc.creatorSilva, A. Ferreira da-
dc.creatorSilva, E. A. de Andrada e-
dc.date.accessioned2012-09-06T14:19:04Z-
dc.date.available2012-09-06T14:19:04Z-
dc.date.issued2002-06-
dc.identifier.issn0103-9733-
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/6704-
dc.descriptionp.321-323pt_BR
dc.language.isoenpt_BR
dc.publisherSociedade Brasileira de Físicapt_BR
dc.sourcehttp://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332002000200019pt_BR
dc.titleResonant tunneling of polarized electrons through nonmagnetic III-V semiconductor multiple barrierspt_BR
dc.title.alternativeBrazilian Journal of Physicspt_BR
dc.typeArtigo de Periódicopt_BR
dc.description.localpubSão Paulopt_BR
dc.identifier.numberv. 32, n. 2pt_BR
Aparece nas coleções:Artigo Publicado em Periódico (FIS)

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
Araújo, C. Moysés.pdf160,04 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.