Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufba.br/handle/ri/6300
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorAstrath, N. G. C.-
dc.contributor.authorBento, Antonio Carlos-
dc.contributor.authorBaesso, Mauro Luciano-
dc.contributor.authorSilva, A. Ferreira da-
dc.contributor.authorPersson, C.-
dc.creatorAstrath, N. G. C.-
dc.creatorBento, Antonio Carlos-
dc.creatorBaesso, Mauro Luciano-
dc.creatorSilva, A. Ferreira da-
dc.creatorPersson, C.-
dc.date.accessioned2012-07-03T15:46:19Z-
dc.date.available2012-07-03T15:46:19Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.issn0040-6090-
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/6300-
dc.descriptionRESTRITOpt_BR
dc.description.abstractThe optical transitions in a range of 1.5–5.2 eV of n-type 4H-SiC have been investigated experimentally by photoacoustic spectroscopy and theoretically by a full-potential linearized augmented plane wave method. From the absorption spectrum, we found the indirect optical bandgap at 3.2 eV and the direct transitions around 4.5 eV in very good agreement with what has been predicted by theoretical calculations.pt_BR
dc.language.isoenpt_BR
dc.publisherThin Solid Filmspt_BR
dc.sourcehttp://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2006.08.009pt_BR
dc.subjectSilicon carbidept_BR
dc.subjectPhotoacoustic spectroscopypt_BR
dc.titlePhotoacoustic spectroscopy to determine the optical properties of thin film 4H-SiCpt_BR
dc.title.alternativeThin Solid Filmspt_BR
dc.typeArtigo de Periódicopt_BR
dc.identifier.numberv.515, n.4pt_BR
Aparece nas coleções:Artigo Publicado em Periódico (FIS)

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
CC.pdf131,96 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.