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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
Set-2002Optical and reduced band gap in n- and p-type GaN and AlNPersson, C.; Sernelius, Bo E.; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
Dez-2002Electronic and optical properties of lead iodideAhuja, Rajeev; Arwin, Hans; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Veje, E.; Pepe, Iuri Muniz; Johansson, B.Artigo de Periódico
2012Study of electronic and optical properties of BiTaO4 for photocatalysisPepe, Iuri Muniz; Almeida, Jailton Souza de; Silva, Antonio Ferreira da; Nisar, Jawad; Silva, Luciana Almeida; Almeida, Cristiane Gomes; Mascarenhas, Artur José Santos; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2012Band gap engineering by anion doping in the photocatalyst BiTaO4: First principle calculationsNisar, Jawad; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Silva, Antonio Ferreira da; Kang, Tae Won; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
Jun-2004Spin-dependent conductance in nonmagnetic InGaAs asymmetric double barrier devicesAraújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, E. A. de Andrada eArtigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico

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