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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2002Optical properties of donor-triad cluster in GaAs and GaNAlmeida, J. Souza de; Silva, A. J. da; Norman, P.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
2012Study of electronic and optical properties of BiTaO4 for photocatalysisPepe, Iuri Muniz; Almeida, Jailton Souza de; Silva, Antonio Ferreira da; Nisar, Jawad; Silva, Luciana Almeida; Almeida, Cristiane Gomes; Mascarenhas, Artur José Santos; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2012Band gap engineering by anion doping in the photocatalyst BiTaO4: First principle calculationsNisar, Jawad; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Silva, Antonio Ferreira da; Kang, Tae Won; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2001First-principle calculations of the dielectric function of zinc-blende and wurtzite InNAhuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.Artigo de Periódico
2013Lithium transport investigation in LixFeSiO4: a promising cathode materialAraujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2013First-principles investigation of Li ion diffusion in Li2FeSiO4Araujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2008Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloysDantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico

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