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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2012Study of electronic and optical properties of BiTaO4 for photocatalysisPepe, Iuri Muniz; Almeida, Jailton Souza de; Silva, Antonio Ferreira da; Nisar, Jawad; Silva, Luciana Almeida; Almeida, Cristiane Gomes; Mascarenhas, Artur José Santos; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2006Electrical resistivity and metal-nonmetal transition in n-type doped 4H-SiC.Silva, Antonio Ferreira da; Pernot, Julien; Contreras, Sylvie; Sernelius, Bo E.; Persson, Clas; Camassel, JeanArtigo de Periódico
2002Sponge-like and columnar porous silicon implanted with nitrogen by plasma immersion ion implantation (PIII)Beloto, Antonio Fernando; Ueda, Mario; Abramof, Eduardo; Senna, Jose Roberto Sbragia; Silva, Marcos Dias da; Kuranaga, Carlos; Reuther, H.; Silva, Antonio Ferreira da; Pepe, Iuri MunizArtigo de Periódico
2008Strong inter-conduction-band absorption in heavily fluorine doped tin oxideCanestraro, Carla Daniele; Oliveira, Marcela M.; Valaski, Rogério; Silva, Marcus V. S. da; David, Denis Gilbert Francis; Pepe, Iuri Muniz; Silva, Antonio Ferreira da; Roman, Lucimara S.; Persson, ClasArtigo de Periódico
2007Metal-insulator transition and superconductivity in boron-doped diamondKlein, T.; Achatz, P.; Kacmarcik, J.; Marcenat, C.; Gustafsson, F.; Silva, Antonio Ferreira da; Cytermann, C.Artigo de Periódico
Jun-2006Electronic band-edge structure, effective masses, and optical absorption of Si1-xGex using an extended FPLAPW/VCA/LDA+U computational methodPersson, Clas; Nur, Omer; Willander, Magnus; Silva, Erasmo A. de Andrada e; Silva, Antonio Ferreira daArtigo de Periódico
2005Strong polaronic effects on rutile TiO2 electronic band edgesPersson, Clas; Silva, Antonio Ferreira daArtigo de Periódico
2012Band gap engineering by anion doping in the photocatalyst BiTaO4: First principle calculationsNisar, Jawad; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Silva, Antonio Ferreira da; Kang, Tae Won; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico

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