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Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorSilva, A. Ferreira da-
dc.contributor.authorAhuja, Rajeev-
dc.contributor.authorPersson, C.-
dc.contributor.authorAlmeida, J. Souza de-
dc.contributor.authorAraújo, Carlos Moysés-
dc.contributor.authorJohansson, B.-
dc.creatorSilva, A. Ferreira da-
dc.creatorAhuja, Rajeev-
dc.creatorPersson, C.-
dc.creatorAlmeida, J. Souza de-
dc.creatorAraújo, Carlos Moysés-
dc.creatorJohansson, B.-
dc.date.accessioned2014-02-21T18:32:10Z-
dc.date.available2014-02-21T18:32:10Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.issn0021-8979-
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/14655-
dc.descriptionp. 3832-3836pt_BR
dc.description.abstractThe optical properties of Si1−xGex have been investigated theoretically using a full-potential linear muffin-tin-orbital method. We present the density-of-states as well as the real and imaginary parts of the dielectric function. The calculated dielectric function was found to be in good agreement with the spectroscopic ellipsometry measurements by J. Bahng et al., J. Phys.: Condens. Matter 13, 777 (2001), and we obtained a static dielectric constant of ε0=12.19+2.45x in the Si rich regime (x⩽0.5).pt_BR
dc.language.isoenpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.sourcehttp://dx.doi.org.ez10.periodicos.capes.gov.br/10.1063/1.1555702pt_BR
dc.titleOptical properties of SiGe alloyspt_BR
dc.title.alternativeJournal of Applied Physicspt_BR
dc.typeArtigo de Periódicopt_BR
dc.identifier.numberv. 93, n. 7pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
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