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dc.contributor.authorPersson, C.-
dc.contributor.authorSilva, A. Ferreira da-
dc.creatorPersson, C.-
dc.creatorSilva, A. Ferreira da-
dc.date.accessioned2014-02-13T18:33:03Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.issn0022-0248-
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/14616-
dc.descriptionTexto completo: acesso restrito. p. 408-413pt_BR
dc.description.abstractWe present calculated dielectric function ε(ω) and linear optical absorption α(ω) of the cubic and hexagonal structures of BN, AlN, GaN, and InN, employing an all-electron linearized augmented plane wave method within the local density approximation (LDA) plus quasi-particle (QP) correction. We show that this LDA+QP approach yields accurate high-frequency dielectric constant ε(∞). Moreover, by employing a modelled electron–optical phonon interaction we calculate the static dielectric function ε(0).pt_BR
dc.language.isoenpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.sourcehttp://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.03.026pt_BR
dc.subjectB1. Nitridespt_BR
dc.subjectB2. Semiconducting materialspt_BR
dc.subjectA1. Computer simulationpt_BR
dc.subjectA1. Crystal structurept_BR
dc.titleLinear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N (III=B, Al, Ga, and In)pt_BR
dc.title.alternativeJournal of Crystal Growthpt_BR
dc.typeArtigo de Periódicopt_BR
dc.identifier.numberv. 305, n. 2pt_BR
dc.embargo.liftdate10000-01-01-
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