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Universidade Federal da Bahia |
Repositório Institucional da UFBA
Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufba.br/handle/ri/13653
Tipo: Artigo de Periódico
Título: An explicit physical model for the long-channel MOS transistor including small-signal parameters
Título(s) alternativo(s): Solid-State Electronics
Autor(es): Cunha, Ana Isabela Araújo
Schneider, Marcio Cherem
Galup-Montoro, Carlos
Autor(es): Cunha, Ana Isabela Araújo
Schneider, Marcio Cherem
Galup-Montoro, Carlos
Abstract: This paper presents a long-channel MOSFET model wherein the drain current, total charges and small-signal parameters for quasi-static operation are very simple functions of the inversion charge densities at the channel boundaries. The inversion charge densities, in turn, are formulated as explicit continuous functions of the terminal voltages, with continuous first order derivatives, resulting in an explicit MOSFET model valid in the whole inversion region. Physical properties, such as the symmetry of the transistor with respect to source and drain are carefully observed in order to achieve a proper prediction of the device behavior. The proposed model contains only the classical parameters of the MOSFET theory.
Editora / Evento / Instituição: Solid-State Electronics
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
URI: http://repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/13653
Data do documento: 1995
Aparece nas coleções:Artigo Publicado em Periódico (PPGEE)

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