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Data do documento	Título	Autor(es)	Tipo
1999	Optical characterization and metal–nonmetal transition of boron-doped Si1−xGex alloy	*Silva, A. Ferreira da; An, C. Ying; Souza, J. Caetano de; Alves, A. Santos; Silva, T. Souza da; Dantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Silva, A.V. Batista da; Pepe, Iuri Muniz*	Artigo de Periódico
2006	Optical Analysis of the Light Emission from Porous Silicon: A Hybrid Polyatom Surface-Coupled Fluorophor	*Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Gole, James L.; Veje, Erling; Dixon, David A.*	Artigo de Periódico
2001	Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaN	*Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B*	Artigo de Periódico
1-Set-2002	Critical concentration for the doping-induced metal–nonmetal transition in cubic and hexagonal GaN	*Silva, A. Ferreira da; Persson, C.*	Artigo de Periódico
1996	Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type InSb	*Silva, A. Ferreira da; Dantas, Nilton Souza; Mota, F. de Brito; Canuto, Sylvio; Fazzio, A.*	Artigo de Periódico
2004	Optical Properties of Oxide Compounds PbO, SnO2 and TiO2	*Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés*	Artigo de Periódico
2011	Variational analysis of the Rashba splitting in III–V semiconductor inversion layers	*Silva, A. Ferreira da; Sandoval, M. A. Toloza; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. La*	Artigo de Periódico
2000	Characterization of asymmetric fragmentation patterns in SFM images of porous silicon	*Silva, A. Ferreira da; Rosa, R.R.; Roman, L.S.; Veje, E.; Pepe, Iuri Muniz*	Artigo de Periódico
2001	Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlN	*Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.*	Artigo de Periódico
2006	X-ray absorption and emission spectroscopy of ZnO nanoparticle and highly oriented ZnO microrod arrays	*Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Dong, C. L.; Vayssieres, L.; Augustsson, A.; Schmitt, T.; Mattesini, M.; Ahuja, Rajeev; Nordgren, J.; Chang, C. L.; Guo, J. H.*	Artigo de Periódico
1998	Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE	*Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Berggren, K. F.; Pepe, Iuri Muniz; Alves, A. Santos; Oliveira, A. G. de*	Artigo de Periódico
2004	Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAs	*Silva, A. Ferreira da; Sernelius, I.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Pepe, Bo E.*	Artigo de Periódico
1991	Spin susceptibility and effective mass in shallow doubly doped semiconductor systems	*Silva, A. Ferreira da*	Artigo de Periódico
1-Jun-1998	Thermal diffusivity of lead iodide	*Silva, T. S.; Alves, A. Santos; Pepe, Iuri Muniz; Tsuzuki, H.; Nakamura, Ossamu; D'Aguiar Neto, Manoel Marcos Freire; Silva, A. Ferreira da; Veissid, N.; An, C. Ying*	Artigo de Periódico

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