1. Universidade Federal da Bahia

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2006Optical band-edge absorption of oxide compound SnO2Roman, L. S.; Valaski, R.; Canestraro, Carla Daniele; Magalhães, E. C. S.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva Junior, E. F. da; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2007Structural complexity of disordered surfaces: analyzing the porous silicon SFM patternsRosa, R. R.; Baroni, M. P. M. A.; Zaniboni, G. T.; Silva, A. Ferreira da; Roman, L. S.; Pontes, J.; Bolzan, M. J. A.Artigo de Periódico
2013Spin-orbit interaction strength and anisotropy in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2012Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factorSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2009Variational rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; La Rocca, G. C.Artigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico
2004Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAsSilva, A. Ferreira da; Sernelius, I.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Pepe, Bo E.Artigo de Periódico
1991Spin susceptibility and effective mass in shallow doubly doped semiconductor systemsSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
1998Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBESilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Berggren, K. F.; Pepe, Iuri Muniz; Alves, A. Santos; Oliveira, A. G. deArtigo de Periódico
1993Impurity conductivities in compensated semiconductor systemsSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2006Optical properties of in situ doped and undoped titania nanocatalysts and doped titania sol–gel nanofilmsSilva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Gole, James L.; Tomás, S. A.; Palomino, R.; Azevedo, W. M. de; Silva Junior, E. F. da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.Artigo de Periódico
Jan-2001Thermal and Optical Properties of Porous SiliconSilva, A. Ferreira da; Silva, T. Souza da; Nakamura, Ossamu; D'Aguiar Neto, Manoel Marcos Freire; Pepe, Iuri Muniz; Roman, L. S.; Veje, E.Artigo de Periódico
2006X-ray absorption and emission spectroscopy of ZnO nanoparticle and highly oriented ZnO microrod arraysSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Dong, C. L.; Vayssieres, L.; Augustsson, A.; Schmitt, T.; Mattesini, M.; Ahuja, Rajeev; Nordgren, J.; Chang, C. L.; Guo, J. H.Artigo de Periódico
1988Enhanced spin susceptibility in phosphorus-doped siliconSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
1-Set-2002Critical concentration for the doping-induced metal–nonmetal transition in cubic and hexagonal GaNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.Artigo de Periódico
1996Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type InSbSilva, A. Ferreira da; Dantas, Nilton Souza; Mota, F. de Brito; Canuto, Sylvio; Fazzio, A.Artigo de Periódico
2000Characterization of asymmetric fragmentation patterns in SFM images of porous siliconSilva, A. Ferreira da; Rosa, R.R.; Roman, L.S.; Veje, E.; Pepe, Iuri MunizArtigo de Periódico
2011Variational analysis of the Rashba splitting in III–V semiconductor inversion layersSilva, A. Ferreira da; Sandoval, M. A. Toloza; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
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