1. Universidade Federal da Bahia

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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2003Photoacoustic and transmission studies of SiC polytypesOliveira, A. C. de; Freitas Junior, J. A.; Moore, W. J.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Almeida, J. Souza de; Braga, G. C. B.; Osório-Guillen, J. M.; Persson, C.; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2003Spectroscopy studies of 4H-SiCOliveira, A. C. de; Freitas Junior, J. A.; Moore, W. J.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Almeida, J. Souza de; Osório-Guillén, J. M.; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Järrendahl, K.; Lindquist, O. P. A.; Edwards, N. V.; Wahab, Q.Artigo de Periódico
2012Visible-light-driven photocatalytic hydrogen production over dye-sensitized β-BiTaO4Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Maia, D. L. S.; Silva, L. A.Artigo de Periódico
2005Influence of rhodamine 6G doping on the optical properties of TiO2 sol-gel filmsPepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Tomás, S. A.; Stolik, S.; Palomino, R.; Lozada, R.; Persson, C.Artigo de Periódico
2001First-principle calculations of optical properties of wurtzite AlN and GaNPersson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001Effective electronic masses in wurtzite and zinc-blende GaN and AlNPersson, C.; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
Set-2002Optical and reduced band gap in n- and p-type GaN and AlNPersson, C.; Sernelius, Bo E.; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2007Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N (III=B, Al, Ga, and In)Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2006Optical band-edge absorption of oxide compound SnO2Roman, L. S.; Valaski, R.; Canestraro, Carla Daniele; Magalhães, E. C. S.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva Junior, E. F. da; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2007Structural complexity of disordered surfaces: analyzing the porous silicon SFM patternsRosa, R. R.; Baroni, M. P. M. A.; Zaniboni, G. T.; Silva, A. Ferreira da; Roman, L. S.; Pontes, J.; Bolzan, M. J. A.Artigo de Periódico
2013Spin-orbit interaction strength and anisotropy in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2012Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factorSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2009Variational rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; La Rocca, G. C.Artigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico
2004Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAsSilva, A. Ferreira da; Sernelius, I.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Pepe, Bo E.Artigo de Periódico
1991Spin susceptibility and effective mass in shallow doubly doped semiconductor systemsSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
1998Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBESilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Berggren, K. F.; Pepe, Iuri Muniz; Alves, A. Santos; Oliveira, A. G. deArtigo de Periódico
1993Impurity conductivities in compensated semiconductor systemsSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2006Optical properties of in situ doped and undoped titania nanocatalysts and doped titania sol–gel nanofilmsSilva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Gole, James L.; Tomás, S. A.; Palomino, R.; Azevedo, W. M. de; Silva Junior, E. F. da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.Artigo de Periódico
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