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Data do documento	Título	Autor(es)	Tipo
2001	Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nonmetal transition in cubic GaN, InN and AlN systems	*Fernandez, J. R. L.; Araújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Pepe, Iuri Muniz*	Artigo de Periódico
2012	Band gap engineering by anion doping in the photocatalyst BiTaO4: First principle calculations	*Nisar, Jawad; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Silva, Antonio Ferreira da; Kang, Tae Won; Ahuja, Rajeev*	Artigo de Periódico
2012	Study of electronic and optical properties of BiTaO4 for photocatalysis	Pepe, Iuri Muniz; Almeida, Jailton Souza de; Silva, Antonio Ferreira da; Nisar, Jawad; Silva, Luciana Almeida; Almeida, Cristiane Gomes; Mascarenhas, Artur José Santos; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, Rajeev	Artigo de Periódico
Set-2002	Optical and reduced band gap in n- and p-type GaN and AlN	*Persson, C.; Sernelius, Bo E.; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.*	Artigo de Periódico
2001	Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaN	*Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B*	Artigo de Periódico
2003	Optical properties of SiGe alloys	*Silva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.*	Artigo de Periódico
2004	Optical Properties of Oxide Compounds PbO, SnO2 and TiO2	*Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés*	Artigo de Periódico

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