Use este identificador para citar ou linkar para este item:
https://repositorio.ufba.br/handle/ri/13517| Tipo: | Artigo de Periódico |
| Título: | Enhanced spin susceptibility in phosphorus-doped silicon |
| Título(s) alternativo(s): | Physical Review B |
| Autor(es): | Silva, A. Ferreira da |
| Autor(es): | Silva, A. Ferreira da |
| Abstract: | The influence of the many-valley isotropic effect of the conduction band with a variational Xz dependence on the metal-nonmetal transition of doped semiconductors is investigated further in the calculation of spin susceptibility. A previously developed Gutzwiller method for finite temperature is used. Good agreement with experimental findings is found. |
| Editora / Evento / Instituição: | Physical Review B |
| URI: | http://repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/13517 |
| Data do documento: | 1988 |
| Aparece nas coleções: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) |
Arquivos associados a este item:
| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| 777777777777777777777777.pdf | 76,1 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.