1. Universidade Federal da Bahia

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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2008Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloysDantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2012Band gap engineering by anion doping in the photocatalyst BiTaO4: First principle calculationsNisar, Jawad; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Silva, Antonio Ferreira da; Kang, Tae Won; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2003Spectroscopy studies of 4H-SiCOliveira, A. C. de; Freitas Junior, J. A.; Moore, W. J.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Almeida, J. Souza de; Osório-Guillén, J. M.; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Järrendahl, K.; Lindquist, O. P. A.; Edwards, N. V.; Wahab, Q.Artigo de Periódico
2003Photoacoustic and transmission studies of SiC polytypesOliveira, A. C. de; Freitas Junior, J. A.; Moore, W. J.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Almeida, J. Souza de; Braga, G. C. B.; Osório-Guillen, J. M.; Persson, C.; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2012Study of electronic and optical properties of BiTaO4 for photocatalysisPepe, Iuri Muniz; Almeida, Jailton Souza de; Silva, Antonio Ferreira da; Nisar, Jawad; Silva, Luciana Almeida; Almeida, Cristiane Gomes; Mascarenhas, Artur José Santos; Wang, Baochang; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
Set-2002Optical and reduced band gap in n- and p-type GaN and AlNPersson, C.; Sernelius, Bo E.; Silva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001Effective electronic masses in wurtzite and zinc-blende GaN and AlNPersson, C.; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001First-principle calculations of optical properties of wurtzite AlN and GaNPersson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.Artigo de Periódico
2006Optical band-edge absorption of oxide compound SnO2Roman, L. S.; Valaski, R.; Canestraro, Carla Daniele; Magalhães, E. C. S.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva Junior, E. F. da; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2006Optical properties of in situ doped and undoped titania nanocatalysts and doped titania sol–gel nanofilmsSilva, A. Ferreira da; Pepe, Iuri Muniz; Gole, James L.; Tomás, S. A.; Palomino, R.; Azevedo, W. M. de; Silva Junior, E. F. da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.Artigo de Periódico
2006X-ray absorption and emission spectroscopy of ZnO nanoparticle and highly oriented ZnO microrod arraysSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Dong, C. L.; Vayssieres, L.; Augustsson, A.; Schmitt, T.; Mattesini, M.; Ahuja, Rajeev; Nordgren, J.; Chang, C. L.; Guo, J. H.Artigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
2004Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAsSilva, A. Ferreira da; Sernelius, I.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Pepe, Bo E.Artigo de Periódico
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico
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