https://repositorio.ufba.br/handle/ri/13517
Tipo: | Artigo de Periódico |
Título: | Enhanced spin susceptibility in phosphorus-doped silicon |
Título(s) alternativo(s): | Physical Review B |
Autor(es): | Silva, A. Ferreira da |
Autor(es): | Silva, A. Ferreira da |
Abstract: | The influence of the many-valley isotropic effect of the conduction band with a variational Xz dependence on the metal-nonmetal transition of doped semiconductors is investigated further in the calculation of spin susceptibility. A previously developed Gutzwiller method for finite temperature is used. Good agreement with experimental findings is found. |
Editora / Evento / Instituição: | Physical Review B |
URI: | http://repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/13517 |
Data do documento: | 1988 |
Aparece nas coleções: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) |
Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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