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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
1997Electronic states on a fractal: The consequences of self-energy variationAndrade, Roberto Fernandes Silva; Schellnhuber, H. J.Artigo de Periódico
2000Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,BiAraújo, Carlos Moysés; Almeida, J. Souza de; Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Sernelius, Bo E.; Souza, Joel Pereira de; Boudinov, Henri IvanovArtigo de Periódico
1978Inelastic scattering of light in superconducting Nb3SnCuden, C. B.Artigo de Periódico
1991Spin susceptibility and effective mass in shallow doubly doped semiconductor systemsSilva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
1979Raman scattering of hght off a superconducting alloy containing paramagnetic impuritiesCuden, C. B.; Ramos, A. da. S.Artigo de Periódico
1980Electromagnetic absorption of light in superconducting Kondo alloys and superconductini alloys with strong electron —magnetic-impurity interactionCuden, C. B.Artigo de Periódico
1994Electronic states on a fractal: Inverse-iteration methodKappertz, P.; Andrade, Roberto Fernandes Silva; Schellnhuber, H. J.Artigo de Periódico
1995Damped plasma waves in photoexcited plasma in semiconductorsVasconcellos, Aurea R.; Luzzi, Roberto; Esperidião, Antônio Sérgio CavalcanteArtigo de Periódico
2006Electrical resistivity and metal-nonmetal transition in n-type doped 4H-SiC.Silva, Antonio Ferreira da; Pernot, Julien; Contreras, Sylvie; Sernelius, Bo E.; Persson, Clas; Camassel, JeanArtigo de Periódico
1982Low-temperature phase transition in DyVasconcelos, J.Artigo de Periódico

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