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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
2013Lithium transport investigation in LixFeSiO4: a promising cathode materialAraujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2001Effective electron and hole masses in intrinsic and heavily n-type doped GaN and AlNSilva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, B.Artigo de Periódico
2013First-principles investigation of Li ion diffusion in Li2FeSiO4Araujo, Rafael B.; Scheicher, Ralph H.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira da; Ahuja, RajeevArtigo de Periódico
2008Novel semiconducting materials for optoelectronic applications: Al1−xTlxN alloysDantas, Nilton Souza; Almeida, J. Souza de; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico
2012Visible-light-driven photocatalytic hydrogen production over dye-sensitized β-BiTaO4Pepe, Iuri Muniz; Silva, A. Ferreira da; Maia, D. L. S.; Silva, L. A.Artigo de Periódico
2001Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaNSilva, A. Ferreira da; Araújo, Carlos Moysés; Sernelius, Bo E.; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Johansson, BArtigo de Periódico
2003Optical properties of SiGe alloysSilva, A. Ferreira da; Ahuja, Rajeev; Persson, C.; Almeida, J. Souza de; Araújo, Carlos Moysés; Johansson, B.Artigo de Periódico
2001First-principle calculations of the dielectric function of zinc-blende and wurtzite InNAhuja, Rajeev; Persson, C.; Silva, A. Ferreira da; Johansson, B.Artigo de Periódico
2012Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factorSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2013Electronic properties of III-nitride semiconductors: A first-principles investigation using the Tran-Blaha modified Becke-Johnson potenAraujo, Rafael B.; Almeida, J. Souza de; Silva, A. Ferreira daArtigo de Periódico

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